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IRLZ24NS/L
800
600
C iss
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s +C gd
15
12
I D = 1 1A
V D S = 44 V
V D S = 28 V
9
400
C oss
6
200
C rss
3
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
S E E FIG U R E 1 3
12 16
20
A
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100
T J = 1 75 °C
10
T J = 2 5°C
10
T C = 25 °C
10μ s
100μ s
1m s
V G S = 0 V
T J
1
0.4
0.8
1.2
1.6
A
2.0
1
1
= 17 5°C
S ing le P u lse
10
10m s
100
A
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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